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資料情報
各蔵書資料に関する詳細情報です。
No. |
所蔵館 |
配架場所 |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
帯出区分 |
状態 |
所蔵棚番号 |
AJ区分
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取込区分
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在架
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1 |
中央 | 書庫資料 | 1018991545 | 図書 | 549.823/フキ/2005 | | 在庫 | | 一般書(A) | |
○ |
関連資料
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書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
タイトルコード |
1000011098457 |
書誌種別 |
図書 |
書名 |
不揮発性磁気メモリMRAM (ケイブックス) |
書名ヨミ |
フキハツセイ ジキ メモリ エムラム |
副書名 |
ユニバーサルメモリをめざして |
副書名ヨミ |
ユニバーサル メモリ オ メザシテ |
叢書名 |
ケイブックス
|
著者名 |
猪俣 浩一郎/編著
|
出版者 |
工業調査会
|
出版年月 |
2005.12 |
ページ |
230p |
大きさ |
19cm |
ISBN |
4-7693-1247-4 |
分類記号 |
548.235
|
著者紹介 |
東京都立大学大学院理学研究科博士課程修了。理学博士。東北大学大学院工学系研究科知能デバイス材料学専攻教授。科学技術庁長官賞・研究功績者賞、2000年紫綬褒章を受章。 |
内容紹介 |
SRAM、DRAM、フラッシュメモリのそれぞれの利点を併せ持ち、ユニバーサルメモリの最有力候補である「MRAM」について、その構造や製造技術、今後の展望などを分かりやすく解説する。 |
目次
内容細目
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