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資料情報
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No. |
所蔵館 |
配架場所 |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
帯出区分 |
状態 |
所蔵棚番号 |
AJ区分
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取込区分
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在架
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1 |
中央 | 2F技術産業 | 1022159642 | 図書 | 549.9// | | 在庫 | R33B,R41 | 一般書(A) | |
○ |
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書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
タイトルコード |
1000012375732 |
書誌種別 |
図書 |
書名 |
半導体SiC技術と応用 |
書名ヨミ |
ハンドウタイ エスアイシー ギジュツ ト オウヨウ |
著者名 |
松波 弘之/編著
大谷 昇/編著
木本 恒暢/編著
中村 孝/編著
|
著者名ヨミ |
|
出版者 |
日刊工業新聞社
|
出版年月 |
2011.9 |
ページ |
12,533p |
大きさ |
21cm |
ISBN |
4-526-06754-9 |
分類記号 |
549.8
|
著者紹介 |
京都大学名誉教授。専門は半導体材料工学。 関西学院大学教授。専門はSiC半導体材料の結晶成長並びに欠陥物理学。 |
内容紹介 |
SiC(シリコンカーバイド)を用いたパワーデバイスは世界的に注目され、本格的な応用期を迎えようとしている。省電力・高速・高温動作性などで高性能を持つ半導体SiCの基礎から応用までをわかりやすく解説する。 |
目次
内容細目
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